★  黃光微影設備

      ☆   步進式曝光機（Stepper）

             •最小解析度 0.7 um

             •對位精度 1 um

      ☆   光罩對位曝光機（Aligner）

             •最小解析度 2 um

             •對位精度 2 um

      ☆   自動旋轉塗佈機（Track）

             •正負型光阻塗佈

             •聚乙醯胺塗佈

★  薄膜設備

      ☆   濺鍍式物理氣相沉積系統（PVD）

             •真空度：8E - 7 torr

             •濺鍍靶材：銅、鉻、鎢、鈦、二氧化矽、銀、鎳鉻

             •均勻度：±  5％

★  電鑄系統

      ☆   搖擺式電鍍機

             •水平或垂直式搖擺陰極、鍍液循環過濾

             •電鍍金屬：Ni、NiCo、Cu、Au、Pd

             •最小電鍍填孔孔徑：10 um

★  蝕刻技術

      ☆   感應耦合電漿蝕刻機（ICP）

             •高密度電漿蝕刻

             •上電極3KW   13.56 MHz

             •下電極1K W  2.0 MHz

             •矽、二氧化矽、聚乙醯胺、光阻蝕刻

             •蝕刻速率：矽 4.0 um/min、藍寶石 0.06 um/min

      ☆   反應離子蝕刻機（RIE）

             •反應功率：600 W

             •反應氣體：N2、O2、SF6、CF4

             •鎢金屬、二氧化矽蝕刻

             •蝕刻速率：鎢 150 nm/min、二氧化矽100 nm/min

      ☆   濕式清洗系統

             •旋轉式自動手臂

             •基板尺寸： 2 ~ 4 吋

★  量測系統

      ☆   接觸式量測儀

             •探針接觸式量測

             •垂直解析度 10 nm

             •量測高度範圍：± 150 um

             •最大量測距離：10 cm

             •翹曲度及粗糙度量測